发明名称 离子植入装置、磁场测定装置及离子植入方法
摘要 本发明提供一种与磁场测定有关且有助于提高生产性之离子植入装置及离子植入方法。本发明的离子植入装置(100)具备配设于离子源与处理室之间的能量分析电磁铁(24)。能量分析电磁铁(24)具备:霍尔元件(110),依据偏向磁场生成测定输出;及NMR元件(112),生成NMR输出。离子植入装置(100)的控制部(102)具备:磁场测定部(114),依据偏向磁场与测定输出之间已知的对应关系测定偏向磁场;磁场决定部(118),依据NMR输出决定偏向磁场;及霍尔元件校正部(120),利用依据NMR输出决定之偏向磁场和与该偏向磁场对应之霍尔元件(110)的新的测定输出来更新已知的对应关系。
申请公布号 TW201508808 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW103125286 申请日期 2014.07.24
申请人 斯伊恩股份有限公司 SEN CORPORATION 发明人 狩谷宏行 KARIYA, HIROYUKI
分类号 H01J37/317(2006.01) 主分类号 H01J37/317(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP
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