用于可程式化装置阵列之以自旋转移扭矩爲基础的记忆体元件;SPIN TRANSFER TORQUE BASED MEMORY ELEMENTS FOR PROGRAMMABLE DEVICE ARRAYS

摘要

此处所揭示的是使用以高密度自旋转移扭矩(STT)为基础之记忆体元件的半导体装置阵列，诸如：场可程式化闸极阵列(FPGA)和复合可程式化逻辑阵列(CPLA)。以STT为基础的记忆体元件可为独立FPGA/CPLA，或可被嵌入微处理器及/或数位信号处理(DSP)晶片系统(SoC)中，以提供设计灵活性来实现低功率、可扩充、安全且可重新组态的硬体架构。因为组态被储存在FPGA/CPLA晶片本身，所以不需要在每次将装置通电时从外部储存器载入组态。除了即时起动之外，消除组态I/O流量可导致省电及可能的接脚数减少。藉由消除将组态资料储存在外部记忆体中的需求，大大地改善了安全性。