发明名称 有机半导体装置
摘要 本发明提供没有层间绝缘膜的被简化的构成之有机半导体装置。本发明之有机半导体装置,具备:至少包含金属箔而成的电极箔,部分设于电极箔的表面的有机半导体层,设于有机半导体层上的上部电极层,设于电极箔、有机半导体层及上部电极层上,覆盖电极箔、有机半导体层及上部电极层的露出部分的密封层,以及以贯通密封层的方式设置,能够与上部电极层导电连接之至少1个接触孔而构成。
申请公布号 TW201508965 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW103105202 申请日期 2014.02.18
申请人 三井金属鑛业股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. 发明人 松浦宜范 MATSUURA, YOSHINORI
分类号 H01L51/50(2006.01);H01L51/56(2006.01) 主分类号 H01L51/50(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP