发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种可有效地降低外部磁场之影响之半导体装置。;半导体装置100包括:基板101;磁阻记忆体晶片102,其安装于基板101;第1软磁性体103,其配置于基板101与磁阻记忆体晶片102之间,且覆盖磁阻记忆体晶片102之背面;第2软磁性体104,其覆盖磁阻记忆体晶片102之正面;及第3软磁性体105,其覆盖磁阻记忆体晶片102之侧面。
申请公布号 TW201508961 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW103106294 申请日期 2014.02.25
申请人 东芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 发明人 赤田裕亮 AKADA, YUSUKE
分类号 H01L43/08(2006.01) 主分类号 H01L43/08(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP
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