具矽穿孔之晶片单离方法与结构;METHOD FOR SINGULATING A CHIP HAVING THROUGH-SILICON VIA AND ITS SINGULATED STRUCTURE

摘要

揭示一种具矽穿孔之晶片单离方法，未单离晶片之主动表面设置有焊垫并形成有介电保护层。由晶片背面乾式蚀刻半导体基板，以同时形成对准于焊垫之通孔以及围绕晶片之切割道沟槽。之后，形成一介电衬里于通孔内，更延伸形成于切割道沟槽内，以覆盖晶片之背面与晶片之半导体单离侧面，直到连接至介电保护层。之后，以深反应性离子蚀刻制程形成复数个开孔贯穿介电衬里以显露焊垫在通孔中。之后，形成一导电层于该些通孔内，孔内导电层覆盖介电衬里并连接至焊垫，更形成于晶片背面上。藉此可消除传统切割应力并可防止外界水气与静电的侵入。