| 发明名称 | 微凸块及其形成方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI475622 | 申请公布日期 | 2015.03.01 |
| 申请号 | TW100133458 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 汪若蕙;郑伊廷 |
| 分类号 | H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种微凸块的形成方法，其包括：在基板上形成第一奈米粒子层，所述第一奈米粒子层包括复数个第一奈米粒子；在所述第一奈米粒子层上形成第二奈米粒子层，所述第二奈米粒子层包括复数个第二奈米粒子；以及将雷射光束照射至所述第二奈米粒子层上，所述雷射光束穿透所述第二奈米粒子层且至少部分地被所述第一奈米粒子中之至少一些第一奈米粒子吸收从而产生热，其中所述第一奈米粒子以及所述第二奈米粒子对所述雷射光束具有不同吸收率，所述第一奈米粒子中之在被所述雷射光束照射的区域中的一些第一奈米粒子熔融且黏附至所述第二奈米粒子中之一些第二奈米粒子。 | ||
| 地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 | ||