| 主权项 |
一种形成在半导体基板上的一半导体元件，该半导体元件包含形成在一接触沟槽中的组件，其中该接触沟槽包含：一势垒金属，其系沉积在该接触沟槽的一接触沟槽底部和一接触沟槽侧壁部分；以及一钨插塞，其系沉积在该接触沟槽的剩余部分中，其中该接触沟槽还包含一形成在靠近该接触沟槽底部的半导体基板中的一肖特基二极体，并且其中该势垒金属包含：一第一金属层，其系靠近该接触沟槽侧壁和该接触沟槽底部，其中该第一金属层含有一种氮化物；以及一第二金属层，其系位于该第一金属层和该钨插塞之间，以及该钨插塞和该侧壁之间；其中该势垒金属包含一第三金属层，该第三金属层位于该第二金属层和该钨插塞之间；该第一金属层还含有层叠设置的钛层和氮化钛层；该第三金属层含有层叠设置的钛层和氮化钛层；该第二金属层含有铝-矽-铜、或铝-铜、或铝-矽。 |
