| 发明名称 | 半导体装置之制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI475641 | 申请公布日期 | 2015.03.01 |
| 申请号 | TW098119041 | 申请日期 | 2009.06.08 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 笹原丽红;田村纯;田原慈 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/522 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置之制造方法，其特征为具备：在基板上形成层间绝缘膜的工程；在上述层间绝缘膜形成用于填埋配线的沟及/或孔的工程；对上述形成有沟及/或孔的层间绝缘膜施予疏水改质处理的工程；在上述被施予疏水改质处理后的上述层间绝缘膜的上述沟及/或孔，填埋配线的工程；在上述被填埋有配线的上述层间绝缘膜，形成气隙的工程；及对上述形成有气隙的层间绝缘膜及上述配线施予疏水改质处理的工程。 | ||
| 地址 | 日本 | ||