| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，包括：在单晶半导体基底上形成氧化矽膜，且在该氧化矽膜上形成氮化矽膜；用氢和稀有气体元素中至少之一，照射该单晶半导体基底，以在离该单晶半导体基底的一定深度处形成分离层，并且在该分离层上形成单晶半导体膜；选择性地蚀刻该氧化矽膜及该氮化矽膜，以形成复数个氧化矽层及复数个氮化矽层；藉由使用该复数个氮化矽层作为掩罩选择性地蚀刻该单晶半导体基底以形成复数个分离层及复数个单晶半导体层；将具有绝缘表面的基底及该单晶半导体基底彼此接合，该复数个氧化矽层插置于该复数个单晶半导体层与具有一绝缘表面之该基底上的氧化矽膜之间；以及将该单晶半导体基底和该复数个单晶半导体层彼此分离，以在该基底的该绝缘表面上设置该复数个单晶半导体层，该复数个氧化矽层插置于该复数个单晶半导体层与具有一绝缘表面之该基底上的该氧化矽膜之间。
|
