发明名称 资料写入方法、记忆体控制电路单元与记忆体储存装置;DATA WRITING METHOD, MEMORY CONTROLLER AND MEMORY STORAGE APPARATUS
摘要 一种资料写入方法,用于记忆体储存装置,其中此记忆体储存装置具有第一缓冲记忆体、第二缓冲记忆体及可复写式非挥发性记忆体模组,其中第一缓冲记忆体的传输频宽大于第二缓冲记忆体的传输频宽。本方法包括:从主机系统中接收写入指令与对应的第一资料;判断第一资料是否为连续大资料;倘若第一资料为连续大资料时,将第一资料暂存至第一缓冲记忆体的第一资料暂存区,将第一资料从第一资料暂存区中写入至可复写式非挥发性记忆体模组中;并且倘若第一资料非为连续大资料时,将第一资料暂存至第二缓冲记忆体的第二资料暂存区。; determining whether the first data belongs to successive big data; if the first data belongs to the successive big data, temporarily storing the first write data into a first data buffer are of the first buffer memory, writing the first write data from the first buffer memory to the rewritable non-volatile memory module; and if the first data belongs to the successive big data, temporarily storing the first write data into a second data buffer area of the second buffer memory.
申请公布号 TW201508748 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW102130249 申请日期 2013.08.23
申请人 群联电子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 发明人 叶志刚 YEH, CHIH KANG
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号 TW