发明名称 具有包含P型主体之选择闸极之记忆体装置,具有分开源极线之记忆体串及方法
摘要
申请公布号 TWI475647 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW100143796 申请日期 2011.11.29
申请人 美光科技公司 发明人 合田晃
分类号 H01L21/8239;H01L27/105 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体装置,其包括:一伸长n型主体区;耦合至该主体区之一第一末端之一p型源极区,及耦合至该主体区之一第二末端之一p型汲极区;沿该伸长n型主体区之一长度之复数个记忆体单元闸极,该复数个记忆体单元闸极中之每一者藉由至少一各别电荷储存结构而与该伸长n型主体区分开;毗邻于该汲极区之一汲极选择闸极,其中该p型汲极区包括该汲极选择闸极之一主体;及毗邻于该源极区之一源极选择闸极,其中该p型源极区包括该源极选择闸极之一主体。
地址 美国