| 发明名称 |
磁性元件之制造方法、磁性元件之制造装置、及磁性元件 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI475646 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
| 申请号 |
TW097120390 |
申请日期 |
2008.06.02 |
| 申请人 |
爱发科股份有限公司 |
发明人 |
今北健一 |
| 分类号 |
H01L21/8239;H01L21/67;G11C11/15 |
主分类号 |
H01L21/8239 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
一种磁性元件之制造方法，系于基板上使含有如下L12有序相之反铁磁性层成膜而制造磁性元件者，上述L12有序相由组成式Mn100-x-Mx(M系选自由Ru、Rh、Ir、Pt构成之群中之至少任一个元素，X满足20(atom%)≦X≦30(atom%))表示，上述磁性元件之制造方法之特征在于具备如下处理：于成膜室配置上述基板；将上述基板加热至350℃；将Kr气体、Xe气体、或Kr气体与Xe气体之混合气体作为溅镀气体并供给至上述成膜室；使上述成膜室之压力减压至0.04~0.1(Pa)；于经减压之上述成膜室内，使用上述溅镀气体，对以上述反铁磁性层之构成元素为主成分之靶材，以将对靶材之施加电力密度调整成2.04~2.44(W/cm2)之方式进行溅镀，藉此，将上述反铁磁性层成膜于上述基板上。 |
| 地址 |
日本 |
