| 主权项 |
一种半导体装置，包括：闸极电极；闸极绝缘膜，覆盖该闸极电极；第一金属氧化物膜，系在该闸极绝缘膜之上并且与该闸极绝缘膜相接触；氧化物半导体膜，系在该第一金属氧化物膜之上并且与该第一金属氧化物膜相接触而且与该闸极电极重叠；源极电极及汲极电极，系在该氧化物半导体膜之上并且与该氧化物半导体膜电接触；第二金属氧化物膜，系在该氧化物半导体膜之上并且与该氧化物半导体膜相接触；以及绝缘膜，系在该第二金属氧化物膜之上，其中，该第一金属氧化物膜和该第二金属氧化物膜各自包括该氧化物半导体膜的其中一个或多个构成金属元素，并且其中，该第一金属氧化物膜系与该第二金属氧化物膜相接触。
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