| 发明名称 |
厚III-Ｎ层的磊晶成长制法和包括III-Ｎ层之基体及其半导体元件 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI475598 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
| 申请号 |
TW095115987 |
申请日期 |
2006.05.05 |
| 申请人 |
奥斯瑞姆光学半导体公司;富瑞柏格化合材料公司 |
发明人 |
史库兹;布鲁克尼;哈柏尔;彼得;科雷尔 |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈诗经 台北市松山区民权东路3段144号1526室 |
| 主权项 |
一种厚III-N层的磊晶成长制法，其中III指元素周期表III族之至少一元素，其中在具有误导向0.1°和2°间的杂质基体上沉积厚度≧40μm之厚III-N层，其中杂质选自蓝宝石(Al2O3)，SiC,GaAs和Li(Al；Ga)Ox(0x3)，又其中III-N层之成长，系利用氢化物蒸气相磊晶术进行者。 |
| 地址 |
德国 |
