发明名称 |
混合式记忆体装置;HYBRID MEMORY DEVICE |
摘要 |
本案描述记忆体装置、控制器及包含记忆体装置之电子装置。在一实施例中,一种记忆体装置包含一依电性记忆体、一非依电性记忆体及一控制器,该控制器包含一记忆体缓冲器及逻辑,该逻辑用以回应于来自一应用程式之请求而经由该记忆体缓冲器在该非依电性记忆体与该依电性记忆体之间传送资料,其中该记忆体缓冲器中之资料为该应用程式可存取的。本发明亦揭示且主张其他实施例。 |
申请公布号 |
TW201508483 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
申请号 |
TW103119398 |
申请日期 |
2014.06.04 |
申请人 |
英特尔公司 INTEL CORPORATION |
发明人 |
拉马努金 拉杰K RAMANUJAN, RAJ K. |
分类号 |
G06F12/02(2006.01);G11C16/00(2006.01) |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |