发明名称 薄膜太阳能电池及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI475704 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW101121426 申请日期 2012.06.14
申请人 联相光电股份有限公司 发明人 李佳霖;毕建中
分类号 H01L31/042;H01L31/18 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 李国光 新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦 新北市中和区中正路928号5楼
主权项 一种薄膜太阳能电池,其包含:一基板;一P型层,系设置于该基板之上方;一I型非晶矽层,系设置于该P型层之上方;一I型吸收层,系设置于该I型非晶矽层之上方;一N型层,系设置于该I型吸收层之上方;以及一电极层,系设置于该N型层之上方;其中,该I型吸收层之能隙系小于1.8eV,系藉由该I型吸收层之能隙小于该I型非晶矽层,以增加整体吸收层之光吸收度,并提升该薄膜太阳能电池之电流,且该I型吸收层之厚度系大于该I型非晶矽层厚度之20%。
地址 台中市后里区后科南路2号