半导体装置及其制造方法

摘要

本发明为一种使用以Ge为主成份的多晶半导体层之半导体装置，其包含有：以Ge为主成份的多晶半导体层；隔着闸极绝缘膜而形成于多晶半导体层上之一部份的闸极电极；及包夹闸极电极而形成于多晶半导体层上且由n型杂质扩散区域构成之一对源极/汲极区域；n型杂质扩散区域具有二种以上杂质，且二种以上杂质地其中一种为选自于硫族元素群组之元素，而另一种为n型杂质。