发明名称 氮化铝静电吸盘之异质叠层共烧陶瓷制备方法
摘要
申请公布号 TWI475638 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW102143661 申请日期 2013.11.29
申请人 国家中山科学研究院 发明人 郭养国;阮建龙;施政宏;吕理煌
分类号 H01L21/683;C04B35/64 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项 一种氮化铝静电吸盘之异质叠层共烧陶瓷制备方法,该方法系包含以下步骤:(A)提供以刮刀成型之氮化铝生片后,进行落料,其中该氮化铝生片之厚度为0.4mm至0.8mm,形成第一层氮化铝生片;(B)形成第二层金属电极,该金属电极系以该第一层氮化铝生片之一面进行金属网版印刷,其中该金属之油墨配方主成分以高熔点之金属为主;(C)提供第三层氮化铝生片之一面叠层于该第二层之金属电极上;(D)以低温低压方式将第一层氮化铝生片、第二层金属电极及第三层氮化铝生片之异质陶瓷层压成型;(E)层压成型之异质陶瓷以一烧结温度曲线进行共烧,形成一异质共烧陶瓷结构,藉由调控氮化铝生片之厚度与金属电极之金属材料,搭配经设计之烧结温度曲线,制得氮化铝静电吸盘之异质叠层共烧陶瓷,可减少金属电极与氮化铝陶瓷之间的烧结收缩比例差异,进而提升金属电极与氮化铝生片之间的界面强度与附着性。
地址 桃园市龙潭区中正路佳安段481号