Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einem Pixelbereich (2), der mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche (3) aufweist, – Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) zumindest eines Subpixelbereichs (3), wobei die elektrisch leitende Schicht (18) dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden, – Abscheiden einer Konversionsschicht (19, 19’) auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.