Hochspannungshalbleitervorrichtung

摘要

Eine vertikale Hochspannungshalbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyp; eine Halbleiterschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps, die auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordnet ist und eine Störstellenkonzentration aufweist, die geringer als diejenige des Halbleitersubstrats (1) ist; eine Halbleiterschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die selektiv in einer Oberflächenschicht der Halbleiterschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist; eine Basisschicht (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der Halbleiterschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps und der Halbleiterschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist und die eine Störstellenkonzentration aufweist, die geringer als diejenige der Halbleiterschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps ist; und eine Sourceregion (7) des ersten Leitfähigkeitstyps, die selektiv innerhalb der Basisschicht (4) angeordnet ist. In einem Randabschlussabschnitt, der den aktiven Abschnitt umgibt, werden, nachdem ein Bereich der Halbleiterschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps entfernt worden ist, in der Oberflächenschicht der Halbleiterschicht (2) des ersten Leitfähigkeitstyps, die eine Störstellenkonzentration aufweist, die geringer als diejenige des Halbleitersubstrats (1) ist, Schichten (11 und 12) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer geringen Konzentration so gebildet, dass die Schicht (11) des zweiten Leitfähigkeitstyps im innersten Bereich, die Halbleiterschicht (3) des zweiten Leitfähigkeitstyps und die Basisschicht (4) einander nicht berühren. Somit kann ein geringer EIN-Widerstand und eine Verbesserung der Widerstandsfähigkeit ermöglicht werden, während eine ausreichende Durchbruchspannung unabhängig von der kristallographischen Ebenenrichtung des Substrats beibehalten wird.