Halbleiteranordnung und Verfahren, um dieselbe zu bilden

摘要

Unter anderem werden eine oder mehrere Halbleiteranordnungen und Techniken zum Bilden derartiger Halbleiteranordnungen zur Verfügung gestellt. Beispielsweise werden ein oder mehrere Silizium- und Siliziumgermaniumstapel dazu verwendet, PMOS-Transistoren, die Germanium-Nanodrahtkanäle umfassen, und NMOS-Transistoren, die Silizium-Nanodrahtkanäle umfassen, zu bilden. In einem Beispiel wird ein erster Silizium- und Siliziumgermaniumstapel oxidiert, um Silizium in Siliziumoxidgebiete umzuwandeln, die entfernt werden, um Germanium-Nanodrahtkanäle für PMOS-Transistoren zu bilden. In einem anderen Beispiel werden Silizium- und Germaniumschichten innerhalb eines zweiten Silizium- und Siliziumgermaniumstapels entfernt, um Silizium-Nanodrahtkanäle für NMOS-Transistoren zu bilden. PMOS-Transistoren mit Germanium-Nanodrahtkanälen und NMOS-Transistoren mit Silizium-Nanodrahtkanälen werden als Teil eines einzigen Fabrikationsprozesses gebildet.