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<p>Eine Hauptzelle, die einen Hauptstrom ausgibt, wird in einem ersten Bereich eines Halbleitersubstrats (1) ausgebildet und eine Erfassungszelle, die einen Erfassungsstrom im Verhältnis zum Hauptstrom ausgibt, wird im zweiten Bereich des Halbleitersubstrats (1) ausgebildet. Eine Basisschicht (3) vom p-Typ wird auf einer Driftschicht (2) vom n–-Typ im ersten und im zweiten Bereich ausgebildet. Eine Störstelle vom n-Typ wird in die Basisschicht (3) vom p-Typ unter Verwendung einer Maske (10) mit Öffnungen (9a, 9b) jeweils auf dem ersten und dem zweiten Bereich implantiert, um Emitterbereiche (4a, 4b) vom n+-Typ auf der Basisschicht (3) vom p-Typ auszubilden. Kontaktbereiche (5a, 5b) vom p+-Typ werden auf der Basisschicht (3) vom p-Typ jeweils im ersten und im zweiten Bereich ausgebildet. Grabengates (6a, 6b), die jeweils die Basisschicht (3) vom p-Typ und den Emitterbereich (4a, 4b) vom n+-Typ durchdringen, werden ausgebildet. Eine Kollektorschicht (8) vom p-Typ wird auf einer unteren Oberfläche der Driftschicht (2) vom n–-Typ im ersten und im zweiten Bereich ausgebildet. Eine Fläche der Öffnung (9b) ist kleiner als eine Fläche der Öffnung (9a). Die Schwellenspannung der Erfassungszelle ist höher als die Schwellenspannung der Hauptzelle.</p> |
