发明名称 伸縮変形可能な光学素子の生産方法及びそれにより得られる素子
摘要 完全に又は部分的に反射性を有する伸縮変形可能な光学素子の製造方法であって、エラストマー支持部の少なくとも一つの表面に、「クラスター・ビーム・インプランテーション(Cluster Beam Implantation)」の技術による、一つ以上の金属、それらの合金、それらの酸化物、又はそれらの混合物から選択された一つの材料の中性のナノクラスターの埋め込みを有し、それによって、前記支持部に、前記素子の表面に現れることが可能なナノコンポジット層が得られ、前記埋め込みは、−前記エラストマー支持部の表面に前記ナノクラスターを均一に埋め込み、前記表面は、製造される光学素子の輪郭に基本的に一致する成形された輪郭を有する;又は、−前記エラストマー支持部の平面の表面に前記ナノクラスターを選択的に埋め込む;又は、−前記エラストマー支持部の表面に前記ナノクラスターの第一層を均一に埋め込み、その後、それによって得られる前記第一ナノクラスター層上に前記ナノクラスターの第二層を選択的に埋め込むことによって行われることを特徴とする製造方法について述べられる。
申请公布号 JP2015505982(A) 申请公布日期 2015.02.26
申请号 JP20140543940 申请日期 2012.12.05
申请人 发明人
分类号 G02B5/18;G02B5/08;G02B26/06;G02B26/08 主分类号 G02B5/18
代理机构 代理人
主权项
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