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<p>Eine ohmsche Elektrode (6) einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung wird hergestellt, indem ein ohmscher Metallfilm auf einem Siliziumcarbid-Substrat (1) gebildet wird, indem ein Target, das eine Mischung oder eine Legierung enthält, die in sich Nickel und ein Metall bzw. Metalle trägt, das bzw. die die magnetische Permeabilität von Nickel reduziert bzw. reduzieren und ein Carbid produziert bzw. produzieren, besputtert wird, wobei Mischungsverhältnisse der Mischung oder der Legierung auf vorbestimmte Mischungsverhältnisse eingestellt werden, und indem eine Wärmebehandlung für den ohmschen Metallfilm durchgeführt wird, um den ohmschen Metallfilm zu kalzinieren. Somit kann die ohmsche Elektrode (6), die für die Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung gedacht ist und die Verwendungseffizienz des Targets verbessern kann, hergestellt werden, deren Filmdicke gleichmäßig ist und diese nicht ablöst bzw. nicht abschält.</p> |
