Bipolartransistor vom Isolierschichttyp

摘要

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines IGBT vom Graben-Gate-Typ, der sowohl eine Aufrechterhaltung der Spannungsfestigkeit als auch eine Verringerung der EIN-Zustands-Spannung erzielt und der einen breiten Stromdichtebereich zum Ausführen des Unipolarbetriebs aufweist, und die Schaffung eines Verfahrens zur Herstellung des IGBT vom Graben-Gate-Typ. Der IGBT in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist ein SJ-RC-IGBT, der eine Driftschicht mit Superübergangsstruktur enthält, und enthält eine IGBT-Fläche und eine FWD-Fläche auf der hinteren Oberfläche. In dem IGBT in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung weist eine erste Driftschicht (1, 2) eine Störstellenkonzentration von 1·1015 atms/cm3 oder höher und niedriger als 2·1016 atms/cm3 und eine Dicke von 10μm oder größer und kleiner als 50μm auf; und weist eine Pufferschicht (11) eine Störstellenkonzentration von 1·1015 atms/cm3 oder höher und niedriger als 2·1016 atms/cm3 und eine Dicke von 2μm oder größer und kleiner als 15μm auf.