一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法

摘要

本申请公开了一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层。与现有技术相比，由于第二p型GaN层具有较高的Mg浓度掺杂，接触层的空穴浓度较高，减少了第二p型GaN层与金属接触电阻率，亦使第二p型GaN层与金属产生的势垒区变窄，增加载流子通过隧穿穿越金属与半导体接触势垒区几率，减低大功率LED芯片的工作电压，从而提高大功率LED芯片的发光效率。

主权项

一种p型GaN低阻值欧姆接触层的制备方法，其特征在于，依次包含处理衬底、在衬底上生长缓冲层、在缓冲层上生长u型GaN层、在u型GaN层上生长n型GaN层、在n型GaN层上生长MQW有源层、在MQW有源层上生长AlGaN层、在AlGaN层上生长第一p型GaN层以及在第一p型GaN层上生长第二p型GaN层，其中， 所述第二p型GaN层中的Mg浓度大于第一p型GaN层中Mg浓度，所述第二p型GaN层和所述第一p型GaN层是在相同温度条件以及相同压力条件下生长的，所述第二p型GaN层的生长速度为所述第一p型GaN层生长速度的1/5‑1/3， 其中，所述第二p型GaN层Mg浓度为2.5×10²⁰‑4×10²⁰atoms/cm³，所述第一p型GaN层Mg浓度为5×10¹⁹‑8×10¹⁹atoms/cm³。