| 发明名称 | 具有侧壁层和超厚金属层的集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，包括衬底、位于衬底上方的金属层以及位于金属层上方的第一介电层。第一介电层包括通孔。包括硅化合物的侧壁层位于通孔中。第二介电层位于侧壁层上方并且超厚金属(UTM)层位于通孔中。本发明涉及具有侧壁层和超厚金属层的集成电路及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104377189A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201410386801.6 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吕志弘;郝静晨 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种集成电路，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上方；第一介电层，位于所述金属层上方，所述第一介电层具有通孔；侧壁层，位于所述通孔中，所述侧壁层包括硅化合物；第二介电层，位于所述侧壁层上方；以及超厚金属(UTM)层，位于所述通孔中，所述UTM层比所述金属层厚。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||