| 发明名称 | 半导体制作工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体制作工艺，其包含下述步骤：形成一第一栅极以及一第二栅极于一基底上。形成一第一应力层，覆盖第一栅极以及第二栅极。蚀刻覆盖第一栅极的第一应力层以形成一第一间隙壁于第一栅极侧边的基底上，但保留覆盖第二栅极的第一应力层。形成一第一外延层于第一间隙壁侧边。完全移除第一应力层以及第一间隙壁。形成一第二应力层，覆盖第一栅极以及第二栅极。蚀刻覆盖第二栅极的第二应力层，以形成一第二间隙壁于第二栅极侧边的基底上，但保留覆盖第一栅极的第二应力层。形成一第二外延层于第二间隙壁侧边。完全移除第二应力层以及第二间隙壁。 | ||
| 申请公布号 | CN104377135A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201310355946.5 | 申请日期 | 2013.08.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 童宇诚;廖晋毅 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种半导体制作工艺，包含有：形成一第一栅极以及一第二栅极于一基底上；形成一第一应力层，覆盖该第一栅极以及该第二栅极；蚀刻覆盖该第一栅极的该第一应力层以形成一第一间隙壁于该第一栅极侧边的该基底上，但保留覆盖该第二栅极的该第一应力层；形成一第一外延层于该第一间隙壁侧边的该基底中；完全移除该第一应力层以及该第一间隙壁；形成一第二应力层，覆盖该第一栅极以及该第二栅极；蚀刻覆盖该第二栅极的该第二应力层，以形成一第二间隙壁于该第二栅极侧边的该基底上，但保留覆盖该第一栅极的该第二应力层；形成一第二外延层于该第二间隙壁侧边的该基底中；以及完全移除该第二应力层以及该第二间隙壁。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||