成长高可靠性IGBT金属连接的方法

摘要

本发明公开了一种成长高可靠性IGBT金属连接的方法，包括：1）刻蚀硅衬底，形成沟槽；2）成长栅极氧化层，沉积多晶硅，形成IGBT沟槽型栅极；3）在栅极氧化层和多晶硅表面上，沉积层间介质层；4）在层间介质层表面上，通过光刻完成金属连接层槽的形成；5）湿法刻蚀层间介质层，使层间介质层形成一具有斜度的界面；6）干法刻蚀层间介质层和栅极氧化层，直至接触到硅衬底，完成金属连接层槽的刻蚀；7）对层间介质层进行退火回流，形成金属连接层结构。本发明能避免后续IGBT器件在工作环境容易积聚的尖端电荷导致的可靠性风险，确保了IGBT器件的工作稳定性。

主权项

一种成长IGBT金属连接的方法，其特征在于，包括步骤：1）刻蚀硅衬底，形成沟槽；2）在沟槽侧壁和底部以及硅衬底表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，并经栅极刻蚀，形成IGBT沟槽型栅极；3）在栅极氧化层和多晶硅表面上，沉积层间介质层；4）在层间介质层表面上，通过光刻工艺，完成金属连接层槽的形成；5）湿法刻蚀层间介质层，使层间介质层形成一具有斜度的界面，且该具有斜度的界面的顶部直至沟槽顶部的凹陷口处；6）干法刻蚀层间介质层和栅极氧化层，直至接触到硅衬底，完成金属连接层槽的刻蚀；7）对层间介质层进行退火回流，形成界面圆滑的金属连接层结构。