一种降低LDMOS导通电阻并同时提高开状态崩溃电压的LDMOS

摘要

本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区和所述漏区之间具有一定距离。根据本发明制作的半导体器件，在保持原有漂移区尺寸不变的前提下，将漂移区靠近漏端的场区尺寸缩短，使原有全部为场区的漂移区，变为一段场区和一段有源区，以降低LDMOS导通电阻，同时提高开状态崩溃电压。

主权项

一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区和所述漏区之间具有一定距离。