| 发明名称 | 一种降低LDMOS导通电阻的器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区为指状结构，其包括数条沿源区到所述漏区方向延伸的条状场区，所述条状场区之间由有源区隔离；条状场区上有从栅极延伸过来的条状栅极延伸区。根据本发明制作的半导体器件，利用条状场区上的条状栅极，使整个漂移区耗尽，实现较高的关态击穿电压，而一条条有源区的出现又使整个漂移区的杂质浓度提高，减小导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104377244A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201310358585.X | 申请日期 | 2013.08.15 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 黄枫;孙贵鹏;韩广涛 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;徐丁峰 |
| 主权项 | 一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区为指状结构，其包括数条沿源区到所述漏区方向延伸的条状场区，所述条状场区之间由有源区隔离开。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||