发明名称 层叠体
摘要 本发明涉及的层叠体包括基材(A)、在基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,上述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
申请公布号 CN104379340A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201380026125.5 申请日期 2013.07.03
申请人 三井化学株式会社;三井化学东赛璐株式会社 发明人 福本晴彦;小田川健二;臼井英夫;高桥英一;高木斗志彦;高野雅子;中村修;进藤清孝
分类号 B32B9/00(2006.01)I;B32B27/00(2006.01)I;B32B37/00(2006.01)I;H01L31/048(2014.01)I 主分类号 B32B9/00(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 杨宏军
主权项 一种层叠体,其包括基材(A)、在所述基材(A)的至少一个面上依次层叠的含硅层(B)、和由具有聚合性基团的有机酸金属盐得到的聚合物层(C),所述含硅层(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高浓度区域,所述氮高浓度区域是通过在氧浓度为5%以下及/或室温23℃下的相对湿度为30%以下的条件下,对在所述基材(A)上形成的聚硅氮烷膜进行能量射线照射,将该膜的至少一部分改性而形成的。
地址 日本东京都