发明名称 |
一种阵列基板及其制造方法、OLED显示装置 |
摘要 |
本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、OLED显示装置,涉及显示装置制造领域,可以提高显示装置的有效发光面积,简化制作工艺,降低产品的生产难度和生产成本。阵列基板包括:由横纵交叉的栅线和数据线在基板上划分出的多个子像素单元,每个子像素单元包括第一TFT、第二TFT和像素电极,所述第一TFT的栅极连接所述栅线,所述第一TFT的源极连接所述数据线,所述第二TFT的漏极连接所述像素电极,所述第一TFT的源极和漏极与所述第二TFT的栅极形成于同一层,且所述第一TFT的漏极与所述第二TFT的栅极直接相连接。本发明实施例用于制造显示装置。 |
申请公布号 |
CN102881712B |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201210372198.7 |
申请日期 |
2012.09.28 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
牛菁 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括:由横纵交叉的栅线和数据线在基板上划分出的多个子像素单元,每个子像素单元包括第一TFT、第二TFT和像素电极,所述第一TFT的栅极连接所述栅线,所述第一TFT的源极连接所述数据线,所述第二TFT的漏极连接所述像素电极,其特征在于,所述第一TFT的源极和漏极与所述第二TFT的栅极形成于同一层,且所述第一TFT的漏极与所述第二TFT的栅极直接相连接,所述像素电极完全覆盖子像素单元区域,所述子像素单元边缘处形成有黑矩阵,其中,用于连接所述像素电极与所述第二TFT的漏极的过孔中填充的遮光材料与所述黑矩阵在同一次构图工艺中形成。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |