| 发明名称 | 多级单元存储器 | ||
| 摘要 | 一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多位的信息；感测电路，其耦合到存储器单元；以及行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器。感测电路进行操作以读自和写至存储器设备，将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。 | ||
| 申请公布号 | CN104380383A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201280074302.2 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 发明人 | N.穆拉利马诺哈;H.B.庸;N.P.朱皮 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;徐红燕 |
| 主权项 | 一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多位的信息；感测电路，其耦合到存储器单元，其中感测电路进行操作以读自和写至存储器设备；行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器，其中感测电路将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且其中感测电路将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||