| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请提供了半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成牺牲栅堆叠；在牺牲栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙；在衬底上形成层间电介质层，并对其平坦化，以露出牺牲栅堆叠；部分地回蚀牺牲栅堆叠以形成开口；对所得的开口进行扩大，以使开口呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状；以及去除剩余的牺牲栅堆叠，并在栅侧墙内侧形成栅堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN104377132A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201310351422.9 | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成牺牲栅堆叠；在牺牲栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙；在衬底上形成层间电介质层，并对其平坦化，以露出牺牲栅堆叠；部分地回蚀牺牲栅堆叠以形成开口；对所得的开口进行扩大，以使开口呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状；以及去除剩余的牺牲栅堆叠，并在栅侧墙内侧形成栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||