发明名称 发光元件
摘要 根据一个实施例,一种发光元件包括:第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及被插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层,并且其中阱层和势垒层交替层压至少一次。有源层包括:第一区域,其被布置在相邻的势垒层和阱层之间,并且线性减少能带隙;以及第二区域,其被布置在相邻的阱层和势垒层之间,并且线性增加能带隙。在阱层中,与相同的阱层相邻的至少一个第一区域和第二区域具有相互不同的厚度。
申请公布号 CN104380487A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201380030173.1 申请日期 2013.05.29
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 韩永勋;李善浩;宋基荣;崔洛俊
分类号 H01L33/04(2006.01)I;H01L33/06(2006.01)I 主分类号 H01L33/04(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 达小丽;夏凯
主权项 一种发光元件,包括:第一导电型半导体层;第二导电型半导体层;以及有源层,所述有源层被插入在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间,所述有源层包括被交替地层压至少一次的势垒层和阱层,其中,所述有源层进一步包括:第一区域,所述第一区域的每一个被布置在所述势垒层和所述阱层中相邻的势垒层和阱层之间,同时具有线性减少的能带隙;以及第二区域,所述第二区域的每一个被布置在所述阱层和所述势垒层中相邻的阱层和势垒层之间,同时具有线性增加的能带隙,其中,相对于所述阱层中的至少一个,被布置为与所述阱层相邻的第一区域和第二区域具有不同的厚度。
地址 韩国首尔