发明名称 |
基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片 |
摘要 |
一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片,包括:一下限制层;一有源层,其制作在下限制层上;一上限制层,其制作在有源层上;一波导层,为条状,其纵向制作在上限制层上面的中间;一P<sup>+</sup>电极层,其是用隔离沟将其分为三段,其制作在波导层上;一N<sup>+</sup>电极层,其制作在下限制层的背面;其中分为三段的P<sup>+</sup>电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区,该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层;该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制,用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。 |
申请公布号 |
CN104377544A |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201410709708.4 |
申请日期 |
2014.11.28 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
余力强;吉晨;赵玲娟;陆丹;王浩;郭露 |
分类号 |
H01S5/12(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/12(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片,包括:一下限制层;一有源层,其制作在下限制层上;一上限制层,其制作在有源层上;一波导层,为条状,其纵向制作在上限制层上面的中间;一P<sup>+</sup>电极层,其是用隔离沟将其分为三段,其制作在波导层上;一N<sup>+</sup>电极层,其制作在下限制层的背面;其中分为三段的P<sup>+</sup>电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区,该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层;该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |