| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 实施方案公开一种半导体发光器件。所述半导体发光器件包括：第一导电半导体层；所述第一导电半导体层之下的第一电极层；所述第一导电半导体层的外周部分处的半导体层；所述第一导电半导体层上的有源层；所述有源层上的第二导电半导体层；和所述第二导电半导体层上的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101807641B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201010121516.3 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：第一导电半导体层，其包括第一电极接触层和在所述第一电极接触层上的第一导电氮化物层；在所述第一导电半导体层之下的第一电极层；在所述第一电极接触层的侧面和所述第一导电氮化物层外侧下部的半导体层；在所述第一导电氮化物层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和在所述第二导电半导体层上的第二电极层，其中所述半导体层具有比所述第一导电氮化物层的载流子浓度低的载流子浓度，并且其中所述第一电极层直接接触所述第一电极接触层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||