发明名称 垂直磁记录介质和磁记录再生装置
摘要 本发明提供一种电磁转换特性优异且能够满足高记录密度化的需要的垂直磁记录介质和具备该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。本发明采用的垂直磁记录介质,是在非磁性基板(1)上至少顺序层叠衬里层(2)、基底层、中间层(5)和垂直磁记录层(6)而成的垂直磁记录介质,其特征在于,衬里层(2)至少具有软磁性膜,该软磁性膜具有非晶质结构,基底层是从非磁性基板(1)侧层叠第1基底层(3)和第2基底层(4)而成的,第1基底层(3)是含有fcc结构的元素和bcc结构的元素的fcc结构的合金层,第2基底层(4)含有NiW合金,中间层(5)含有Ru或Ru合金。
申请公布号 CN102385870B 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201110244091.X 申请日期 2011.08.24
申请人 昭和电工株式会社 发明人 高星英明;鹈饲高广
分类号 G11B5/66(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I;G11B5/738(2006.01)I;G11B5/851(2006.01)I 主分类号 G11B5/66(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 一种垂直磁记录介质,是在非磁性基板之上至少顺序地层叠衬里层、基底层、中间层和垂直磁记录层而成的垂直磁记录介质,其特征在于,所述衬里层至少具有软磁性膜,该软磁性膜具有非晶质结构,所述基底层是从所述非磁性基板侧层叠第1基底层和第2基底层而成的,所述第1基底层是fcc结构的PdV合金,所述PdV合金中所含有的V的量在1原子%~65原子%的范围内,所述第2基底层含有NiW合金,所述中间层含有Ru或Ru合金。
地址 日本东京都