发明名称 |
一种具有电极出光的发光二极管制作方法 |
摘要 |
本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法:在外延衬底上外延形成外延发光结构,在外延发光结构上形成透光通道制作层;采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极区域,形成若干规则的透光通道,且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面;在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体,且露出外延发光结构;外延发光结构表面形成焊台电极,且厚度超过透光柱体高度;采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面;在外延发光结构上形成背电极,裂片形成发光二极管芯片。本发明可以减少焊台电极挡光面积,提高发光二极管的外量子效率。 |
申请公布号 |
CN104377288A |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201410551543.2 |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
厦门乾照光电股份有限公司 |
发明人 |
林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 |
分类号 |
H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/42(2010.01)I |
代理机构 |
厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 |
代理人 |
廖吉保;唐绍烈 |
主权项 |
一种具有电极出光的发光二极管制作方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一,在外延衬底上形成外延发光结构,在外延发光结构上形成透光通道制作层;步骤二,采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极制作区域,形成若干规则排列的透光通道,且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面;步骤三,在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道,形成透光柱体;步骤四,腐蚀去除透光通道制作层,留下透光柱体,且露出外延发光结构;步骤五,在裸露的外延发光结构表面形成作为焊台电极的第一电极或第二电极,且厚度超过透光柱体高度;步骤六,采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面;步骤七,在外延发光结构上形成背电极,裂片形成发光二极管的芯片。 |
地址 |
361000 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号 |