| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体装置的制造方法中，在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)，使用洗涤液(5)将所述凹部(3、13)内存在的包括保护膜(4、14)在内的异物除去。所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液。 | ||
| 申请公布号 | CN102290368B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201110161985.2 | 申请日期 | 2011.06.16 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 山口大五郎;野田理崇 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：在由硅或硅类化合物半导体形成的半导体衬底(1、10)中形成凹部(3、13)的工序；以及在形成所述凹部(3、13)后、使用洗涤液(5)，通过提离效应将在所述凹部(3、13)的侧壁附着的包括由碳氟类聚合物构成的保护膜(4、14)在内的异物除去的工序，所述洗涤液(5)含有添加有螯合剂的双氧水、碱性溶液和水的混合液，所述碱性溶液含有氨水和四甲基氢氧化铵中的某一种，在形成所述凹部(3、13)的工序中，形成宽为10μm以下且纵横比为5以上的所述凹部(3、13)，形成所述凹部(3、13)的工序包括以下工序：一边用所述保护膜(4、14)覆盖所述凹部(3、13)的侧壁面，一边挖掘所述凹部(3、13)的底面。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||