| 发明名称 | 电子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及一种电子器件，包括：第一氮化镓层；通过在所述第一氮化镓层上掩模中的开口的阵列接触所述第一氮化镓层的第二氮化镓层；所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度。本发明的实施例还提供了制造该电子器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102694087B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201210182177.9 | 申请日期 | 2007.04.25 |
| 申请人 | 新加坡国立大学 | 发明人 | 蔡树仁;周海龙;林建毅;潘晖 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种电子器件，包括：第一氮化镓层；通过在所述第一氮化镓层上的掩模中的开口的阵列接触所述第一氮化镓层的过度生长的第二氮化镓层；以及所述第二氮化镓层上覆盖的氧化锌层，其中所述覆盖的氧化锌层具有比所述第一氮化镓层的缺陷密度低的缺陷密度。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||