大失配体系硅基无位错异质外延方法

摘要

一种大失配体系无位错异质外延方法，包括以下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：清洗，将清洗干净的硅衬底装入高真空生长室中；步骤3：对硅衬底进行脱氧处理；步骤4：在硅衬底上生长金属催化剂；步骤5：退火；步骤6：在生长了金属催化剂的硅衬底上外延生长TV族半导体材料，完成制备。本发明可以进行大失配体系的无位错异质材料外延，解决了金催化剂杂质引入减小少子寿命的缺陷，同时还有利于降低制造成本，提高器件性能。

主权项

一种大失配体系无位错异质外延方法，包括以下步骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：清洗，将清洗干净的硅衬底装入高真空生长室中；步骤3：对硅衬底进行脱氧处理；步骤4：在硅衬底上生长金属催化剂；步骤5：退火；步骤6：在生长了金属催化剂的硅衬底上外延生长IV族半导体材料，完成制备。