发明名称 |
一种排气方法、装置及基片处理设备 |
摘要 |
本发明提供一种排气方法、装置及基片处理设备。其中,排气方法至少包括下述步骤:10)为基片处理腔室设置至少两个排气口,并使各个排气口的排气速率可被单独控制;20)使各个排气口以不同的排气速率向外排气。排气装置包括连接至基片处理腔室的至少两个排气口,其中,各个排气口的排气速率可被单独控制。基片处理设备包括基片处理腔室并设置用上述本发明提供的排气装置。上述排气方法、装置及基片处理设备在进行基片处理工艺时均能有效提高基片处理腔室中的气流分布均匀性,从而提高工艺质量的均匀性。 |
申请公布号 |
CN102828167B |
申请公布日期 |
2015.02.25 |
申请号 |
CN201110158466.0 |
申请日期 |
2011.06.13 |
申请人 |
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
发明人 |
古村雄二;张建勇;周卫国;徐亚伟 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
张天舒;陈源 |
主权项 |
一种排气方法,用于配合基片处理腔室进行排气操作,其特征在于,包括下述步骤:10)为所述基片处理腔室设置至少两个排气口,并使各个排气口的排气速率可被单独控制;20)使所述至少两个排气口以不同的排气速率向外排气,并且使各个所述排气口的排气速率随时间变化,以在腔室内形成动态的气流,实现在基片处理腔室内形成旋转的气流。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼南二层 |