| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。 | ||
| 申请公布号 | CN102104049B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201010570119.4 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 宋溱镐;崔新逸;洪瑄英;金时烈;李基晔;尹在亨;金成烈;徐五成;裴良浩;郑钟铉;杨东周;金俸均;吴和烈;洪泌荀;金柄范;朴帝亨;丁有光;金钟仁;徐南锡 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;王青芝 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极，其中，数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域，其中，栅极绝缘层具有第一部分和第二部分，第一部分具有第一厚度，第二部分具有比第一厚度小的第二厚度，所述第一部分比半导体层宽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道龙仁市 | ||