| 发明名称 | 一种以贵金属为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种以贵金属为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，包括：将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>-2</sup>～10<sup>-4</sup>mbr，以钛为靶材，靶基距为8～11cm，在所述玻璃衬底上溅射钛薄膜；向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>-2</sup>～10<sup>-4</sup>mbr，以钯为靶材、靶基距为8～11cm，在上述步骤得到的产物上溅射钯薄膜。本发明以钛和钯为靶材，采用真空溅射原理，并采用8～11cm的靶基距，制备得到的金属薄膜厚度可控，约55nm，可以用于表面等离子体共振芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN104374744A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201410582928.5 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 李博 | 发明人 | 李博 |
| 分类号 | G01N21/55(2014.01)I;G01N21/41(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/55(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人 | 龚燮英 |
| 主权项 | 一种以贵金属为靶材制备表面等离子体共振芯片的方法，其特征在于，包括：步骤a)将玻璃衬底放入真空溅射仪的生长室内；步骤b)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>‑2</sup>～10<sup>‑4</sup>mbr，以钛为靶材，靶基距为8～11cm，在所述玻璃衬底上溅射钛薄膜；步骤c)向所述生长室内通入氩气，抽真空至10<sup>‑2</sup>～10<sup>‑4</sup>mbr，以钯为靶材、靶基距为8～11cm，在所述步骤b)得到的产物上溅射钯薄膜。 | ||
| 地址 | 545000 广西壮族自治区柳州市柳南区城站路94号一区17栋1单元602室 | ||