一种沟槽型MOS器件及其制造方法和终端保护结构

摘要

本发明公开了一种有效的改善终端保护区电场线分布，提高终端保护结构的性能和可靠性的沟槽型MOS器件以及该MOS器件的终端保护结构，该器件包括半导体基板、设置于中部的有源区和设置于外围的终端保护区，终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的一个截止环；分压环包括环状的分压沟槽，该第一导电类型外延层的上部设置有第二导电类型深阱区，该分压沟槽由上而下贯穿第二导电类型深阱区且槽底处于第一导电类型外延层；该分压沟槽内填充有与绝缘介质层同种材质的绝缘介质。同时本发明还提供了该沟槽型MOS器件制作方法，在不增加制作成本的情况下可大大提高半导体功率器件的耐压能力和可靠性。

主权项

一种沟槽型MOS器件的终端保护结构，该终端保护结构设置于沟槽型MOS器件的终端保护区，该终端保护结构包括重掺杂的第一导电类型衬底以及设置在第一导电类型衬底上的轻掺杂的第一导电类型外延层，定义第一导电类型外延层的上表面为第一表面，第一导电类型衬底的下表面为第二表面；所述的第一表面上覆盖有绝缘介质层，终端保护区内设置有至少一个分压环和位于分压环外围的一个截止环；其特征在于：所述分压环包括环状的分压沟槽，该第一导电类型外延层的上部设置有第二导电类型深阱区，该分压沟槽由上而下贯穿第二导电类型深阱区且槽底处于第一导电类型外延层；该分压沟槽内填充有与绝缘介质层同种材质的绝缘介质；所述的截止环包括环状的截止沟槽，该截止沟槽由第一表面延伸至第一导电类型外延层内，该截止沟槽的内壁生长有绝缘场氧化层，该截止沟槽内设置有导电多晶硅，所述第二导电类型深阱区在截止沟槽的外围设置有第一导电类型注入层，所述截止沟槽内的导电多晶硅、截止沟槽外围的第一导电类型注入层以及第二导电类型深阱区通过截止环金属板连接成等电位。