发明名称 一种结合边界积分方程方法和随机法的平面边界面电荷密度提取方法
摘要 本发明属集成电路计算机辅助设计/电子设计自动化领域,具体涉及集成电路寄生参数提取方向中一种结合边界积分方程和随机法的互连线或介质平面边界上面电荷密度提取方法。该方法中,以边界上待求点为球心构造一个半球体,与区域边界相交为一个平面圆盘,将待求点处的面电荷密度转化为由半球面和平面圆盘构成的封闭曲面上的积分。本方法为局部性解法,可提取局部边界上的面电荷密度,而无需对互连线和介质边界表面进行离散;并具有随机法天然并行性的优势,易于实现大规模并行计算。
申请公布号 CN104376135A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201310354674.7 申请日期 2013.08.14
申请人 复旦大学 发明人 严昌浩;曾璇;蔡伟
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 代理人 吴桂琴
主权项 一种结合边界积分方程方法和随机法的平面边界面电荷密度提取方法,其特征在于,该方法是以边界上待求点为球心构造一个半球体,与区域边界相交为一个平面圆盘,将待求点处的面电荷密度转化为由半球面和平面圆盘构成的封闭曲面上的积分,包括:输入参数:区域边界<img file="FDA0000366760180000011.GIF" wi="69" he="52" />的几何信息,区域边界<img file="FDA0000366760180000012.GIF" wi="71" he="50" />上的电位分布函数u<sub>0</sub>(x),待求点x的位置坐标,半球体的半径a,半球面高斯积分点数N<sub>g1</sub>,圆盘平面高斯积分点数N<sub>g2</sub>,采样路径数N<sub>max</sub>,吸收边界厚度ε,最大球半径R<sub>max</sub>;输出结果:点x处的面电荷密度;其步骤为:步骤1:在点x处构造一个半径a的半球体;步骤2:对半球面上的所有积分点,利用WOS(Walk On Spheres)方法得到这些点的电位;步骤3:计算半球面上的数值积分Σ′<sub>1</sub>;步骤4:计算圆盘平面上的数值积分Σ′<sub>2</sub>;步骤5:将步骤3中的积分结果Σ′<sub>1</sub>和步骤4中的积分结果Σ′<sub>2</sub>求和,其结果即为点x处的面电荷密度σ<sub>s</sub>(x)。
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