| 发明名称 | 选择性硅蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于蚀刻设置于基板上的硅层的方法，所述方法包括各向异性地蚀刻所述硅层中的第一凹槽；选择性地各向异性湿蚀刻所述第一凹槽中的硅表面，所述湿蚀刻包括使所述硅表面接触含有芳香性三(低级)烷基季鎓盐氢氧化物和不对称四烷基季鏻盐的含水组合物；其中所述湿蚀刻以大约相等的速率且优先于(111)平面对所述硅层的(110)和(100)平面进行蚀刻，以在(111)平面中形成具有侧壁的加大凹槽。硅合金可外延沉积在由此产生的凹槽中，作为将应力引入硅层的至少一部分中的方法的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102687248B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201080048036.7 | 申请日期 | 2010.10.15 |
| 申请人 | 塞克姆公司 | 发明人 | 西安·科林斯;威廉·A·沃伊特恰克 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;任晓华 |
| 主权项 | 蚀刻设置于基板上的硅层的方法，所述方法包括：各向异性地蚀刻所述硅层中的第一凹槽；选择性地各向异性湿蚀刻所述第一凹槽中的硅表面，所述湿蚀刻包括使所述硅表面接触含有以下成分的含水组合物：含芳香性的季鎓氢氧化物，和不对称四烷基季鏻盐；其中所述湿蚀刻以大约相等的速率且优先于(111)平面对所述硅层的(110)和(100)平面进行蚀刻，以在所述(111)平面中形成具有侧壁的加大凹槽。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||