发明名称 一种简易制备N型石墨烯场效应管的方法
摘要 本发明公开了一种简易制备N型石墨烯场效应管的方法。以化学氧化制备的氧化石墨烯为原料,包括将氧化石墨烯片在基底上旋涂成薄膜,通过光照实现氮掺杂石墨烯的方法。将氟化石墨烯薄膜在NH<sub>3</sub>气(流量为10torr~30torr)氛围下,通过使用65到75mJ/cm<sup>2</sup>能量的激光或汞灯能选择的区域位置进行光照,光照时间在5~60分钟范围内,通过光照同时实现还原和氮原子的掺杂。本发明操作方便、成本低、能大批量制备,本发明通过光照时间、强度和掺氟浓度,以达到调控氮掺杂含量、石墨烯的导电率和带隙以及实现N型石墨烯场效应管的效果。
申请公布号 CN104370282A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201410561468.8 申请日期 2014.10.21
申请人 桂林理工大学 发明人 李新宇;肖剑荣;唐涛;李明;文剑锋
分类号 C01B31/04(2006.01)I;H01G11/86(2013.01)I 主分类号 C01B31/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种简易制备N型石墨烯场效应管的方法,其特征在于具体步骤为:(1)将6‑10g鳞片石墨、6‑10g硝酸钠和350‑400mL市售的浓硫酸冰浴混匀;然后缓慢加入45‑55g高锰酸钾,磁力搅拌混匀后在35摄氏温度中加热2小时;接着加入320mL去离子水搅拌15分钟,再加入800 mL去离子水和40 mL H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>搅拌10分钟,得到绿色悬浮液;(2)将步骤(1)得到的绿色悬浮液加入0.0001mol/L的稀硝酸溶液进行清洗,然后14000rpm的离心速度离心获得沉淀;(3)重复步骤(2)2‑3次;(4) 将步骤(3)得到的悬浮液再加入去离子水,14000rpm高速离心得到沉淀;(5)重复步骤(4)加入去离子水再离心的过程10遍,确保不含有其他杂质,得到氧化石墨烯溶液;(6)将步骤(5)得到的氧化石墨烯溶液利用冷凝干燥机干燥,得到氧化石墨烯粉末;(7)将步骤(6)得到的氧化石墨烯粉末与质量百分比浓度为80‑90%的乙醇,配置溶液浓度为1mg/mL,超声辅助,超声时间25‑35分钟,得到分散较好的氧化石墨烯‑乙醇溶液;通过旋涂的方法在0.3‑0.8mm SiO<sub>2</sub>/Si基片上将氧化石墨烯‑乙醇溶液有序组装成大面积氧化石墨烯薄膜即GO薄膜,SiO<sub>2</sub>层厚度为200‑500纳米,GO薄膜的含氧量较高,其中氧碳原子比为2:5;其中GO薄膜的厚度为30‑100纳米;(8)将步骤(7)所制得的GO薄膜放入一个石英舟里面,再将石英舟放入自制备的光照还原装置中,该装置由一能封闭、能通气体的透明容器,上方放上光源,光源的频谱范围在200nm至760nm之间,光源为单色光或白光;GO薄膜在流量为10torr~30torr 的NH<sub>3</sub>气氛围下,通过使用65 到 75 mJ/cm<sup>2</sup>能量的激光或汞灯能选择的区域位置进行光照,通过光照还原时产生脱氟效应,光源对GO薄膜实现全覆盖,经过5~60分钟的光照时间,即制得氮掺杂石墨烯薄膜;(9)在大气氛围中,取下步骤(9)透明容器一侧的管道,取出氮掺杂石墨烯薄膜,氮掺杂石墨烯薄膜去除了大部分含氧基团;(10)将步骤(9)所制备的氮掺杂石墨烯薄膜上分别蒸镀金电极做为源电极和漏电极,另外,在SiO<sub>2</sub>/Si底端镀上金电极作为栅电极。
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